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產(chǎn)品線卡
無錫新潔能股份有限公司成立于2013年,擁有新潔能香港、電基集成、金蘭功率半導(dǎo)體三家全資子公司以及深圳分公司、寧波分公司。公司成立以來即專注于MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體芯片和功率器件的研發(fā)、設(shè)計及銷售,產(chǎn)品優(yōu)質(zhì)且系列齊全,廣泛應(yīng)用于消費電子、汽車電子、工業(yè)電子、新能源汽車及充電樁、智能裝備制造、軌道交通、光伏新能源、5G等領(lǐng)域;未來隨著云計算、大數(shù)據(jù)、智能電網(wǎng)、無人駕駛等領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展,公司產(chǎn)品將在該等新興領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。公司的主營業(yè)務(wù)為MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體芯片和功率器件的研發(fā)、設(shè)計及銷售,公司銷售的產(chǎn)品按照是否封裝可以分為芯片和封裝成品。公司是專業(yè)化垂直分工廠商,芯片由公司設(shè)計方案后交由芯片代工企業(yè)進行代工生產(chǎn),封裝成品由公司委托外部封裝測試企業(yè)對芯片進行封裝測試而成。
IGBT 功率集成模塊(PIM)
以先進的IGBT芯片技術(shù)為基礎(chǔ),結(jié)合高可靠性的封裝技術(shù),新潔能推出全新的IGBT 功率集成模塊(PIM)系列產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品包括650V、750V、1200V和1700V系列產(chǎn)品,并搭載了不同系列的IGBT芯片,以保證產(chǎn)品工作效率良好;同時,可以提供各種通用的封裝外形和電路拓撲的IGBT功率模塊產(chǎn)品,滿足不同的應(yīng)用要求。新潔能的PIM可以廣泛用于工業(yè)變頻、工業(yè)逆變、新能源、汽車電子等領(lǐng)域。
以先進的IGBT芯片技術(shù)為基礎(chǔ),結(jié)合高可靠性的封裝技術(shù),新潔能推出全新的IGBT 功率集成模塊(PIM)系列產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品包括650V、750V、1200V和1700V系列產(chǎn)品,并搭載了不同系列的IGBT芯片,以保證產(chǎn)品工作效率良好;同時,可以提供各種通用的封裝外形和電路拓撲的IGBT功率模塊產(chǎn)品,滿足不同的應(yīng)用要求。新潔能的PIM可以廣泛用于工業(yè)變頻、工業(yè)逆變、新能源、汽車電子等領(lǐng)域。
1200-1350V IGBT
新潔能1200V至1350V的N溝道IGBT器件,B系列、W系列等廣泛應(yīng)用于各個領(lǐng)域。N溝道1200-1350V系列IGBT產(chǎn)品封裝范圍包括TO-264、TO-3P、TO-247等。
新潔能1200V至1350V的N溝道IGBT器件,B系列、W系列等廣泛應(yīng)用于各個領(lǐng)域。N溝道1200-1350V系列IGBT產(chǎn)品封裝范圍包括TO-264、TO-3P、TO-247等。
600-650V IGBT
新潔能600V至650V IGBT產(chǎn)品具備良好的短路性能,為電機驅(qū)動領(lǐng)域處理突發(fā)事件提供充足的裕量。廣泛應(yīng)用于不間斷電源(UPS)、太陽能逆變器以及所有的硬開關(guān)。 N溝道600-650V系列IGBT產(chǎn)品封裝范圍包括TO-220、TO-263、TO-251、TO-252、TO-3P、TO-247等。
新潔能600V至650V IGBT產(chǎn)品具備良好的短路性能,為電機驅(qū)動領(lǐng)域處理突發(fā)事件提供充足的裕量。廣泛應(yīng)用于不間斷電源(UPS)、太陽能逆變器以及所有的硬開關(guān)。 N溝道600-650V系列IGBT產(chǎn)品封裝范圍包括TO-220、TO-263、TO-251、TO-252、TO-3P、TO-247等。
12-300V NP MOSFET
新潔能提供的12V~100V Complementary(N、P型互補式)MOSFET產(chǎn)品,是通過將P型與N型Trench功率MOSFET產(chǎn)品分別以高、低邊互補配置的方式集成至單個封裝中,極大程度上優(yōu)化了產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu)。該類產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電機控制以及電池管理系統(tǒng)等。 Complementary MOSFET產(chǎn)品封裝外形包括DFN2*2、DFN3.3*3.3、DFN5*6、SOP-8、SOT-23-6L、TO-252-4L等。
新潔能提供的12V~100V Complementary(N、P型互補式)MOSFET產(chǎn)品,是通過將P型與N型Trench功率MOSFET產(chǎn)品分別以高、低邊互補配置的方式集成至單個封裝中,極大程度上優(yōu)化了產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu)。該類產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電機控制以及電池管理系統(tǒng)等。 Complementary MOSFET產(chǎn)品封裝外形包括DFN2*2、DFN3.3*3.3、DFN5*6、SOP-8、SOT-23-6L、TO-252-4L等。
500-1050V N MOSFET
新潔能提供擊穿電壓等級范圍為500V至800V的N溝道SJ-III系列功率MOSFET產(chǎn)品,以良好的導(dǎo)通電阻,極低的柵極電荷,出色的開關(guān)速度,以及極具競爭力的性價比,成為開關(guān)電源應(yīng)用中的理想選擇。廣泛應(yīng)用在家用電器驅(qū)動、計算機電源、UPS、電動汽車充電等領(lǐng)域。 N溝道500-800V系列SJ-III MOSFET產(chǎn)品封裝范圍包括TO-220、TO-223、TO-263、TO-251、TO-252、TO-247等。
新潔能提供擊穿電壓等級范圍為500V至800V的N溝道SJ-III系列功率MOSFET產(chǎn)品,以良好的導(dǎo)通電阻,極低的柵極電荷,出色的開關(guān)速度,以及極具競爭力的性價比,成為開關(guān)電源應(yīng)用中的理想選擇。廣泛應(yīng)用在家用電器驅(qū)動、計算機電源、UPS、電動汽車充電等領(lǐng)域。 N溝道500-800V系列SJ-III MOSFET產(chǎn)品封裝范圍包括TO-220、TO-223、TO-263、TO-251、TO-252、TO-247等。
12-150V P MOSFET
新潔能提供的N型12V~200V和P型12V~150V 溝槽型(Trench)功率MOSFET 產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于電機驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)、負載開關(guān)、通信、消費電子等各個領(lǐng)域。同時提供豐富的封裝外形供客戶選擇,包括DFN1*1、DFN2*2、DFN3.3*3.3、DFN5*6、SOT-23、SOT-523、SOT-89、SOT-223、SOP-8、TO-251、TO-252、TO-220、TO-263、TOLL、TO-247等。
新潔能提供的N型12V~200V和P型12V~150V 溝槽型(Trench)功率MOSFET 產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于電機驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)、負載開關(guān)、通信、消費電子等各個領(lǐng)域。同時提供豐富的封裝外形供客戶選擇,包括DFN1*1、DFN2*2、DFN3.3*3.3、DFN5*6、SOT-23、SOT-523、SOT-89、SOT-223、SOP-8、TO-251、TO-252、TO-220、TO-263、TOLL、TO-247等。
12-300V N MOSFET
新潔能提供的N型12V~200V和P型12V~150V 溝槽型(Trench)功率MOSFET 產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于電機驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)、負載開關(guān)、通信、消費電子等各個領(lǐng)域。同時提供豐富的封裝外形供客戶選擇,包括DFN1*1、DFN2*2、DFN3.3*3.3、DFN5*6、SOT-23、SOT-523、SOT-89、SOT-223、SOP-8、TO-251、TO-252、TO-220、TO-263、TOLL、TO-247等。
新潔能提供的N型12V~200V和P型12V~150V 溝槽型(Trench)功率MOSFET 產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于電機驅(qū)動、電池管理系統(tǒng)、負載開關(guān)、通信、消費電子等各個領(lǐng)域。同時提供豐富的封裝外形供客戶選擇,包括DFN1*1、DFN2*2、DFN3.3*3.3、DFN5*6、SOT-23、SOT-523、SOT-89、SOT-223、SOP-8、TO-251、TO-252、TO-220、TO-263、TOLL、TO-247等。
Auto MOSFET
新潔能車規(guī)級功率器件,包含N型MOSFET,P型MOSFET,雙通道MOSFET,IGBT,已通過AEC-Q101認證。電壓覆蓋范圍為-150V至1050V,車規(guī)級IGBT器件電壓覆蓋范圍為600V至1200V。新潔能車規(guī)級功率器件已經(jīng)廣泛應(yīng)用在汽車上,從電控單元到域控制器,從蓄電池防反接到電池管理系統(tǒng),從車艙電機驅(qū)動到主驅(qū)電控,以及各個汽車零部件中。30V至120V的N溝道功率MOSFET 產(chǎn)品,具備超低的導(dǎo)通電阻,優(yōu)異的開關(guān)特性,結(jié)合先進車規(guī)級封裝所帶來的高可靠性,為汽車電子設(shè)計工程師提供了豐富的選擇。廣泛應(yīng)用于車身域控,動力電池管理,DC/DC,動力總成,輔助駕駛,車載照明等系統(tǒng)中。
新潔能車規(guī)級功率器件,包含N型MOSFET,P型MOSFET,雙通道MOSFET,IGBT,已通過AEC-Q101認證。電壓覆蓋范圍為-150V至1050V,車規(guī)級IGBT器件電壓覆蓋范圍為600V至1200V。新潔能車規(guī)級功率器件已經(jīng)廣泛應(yīng)用在汽車上,從電控單元到域控制器,從蓄電池防反接到電池管理系統(tǒng),從車艙電機驅(qū)動到主驅(qū)電控,以及各個汽車零部件中。30V至120V的N溝道功率MOSFET 產(chǎn)品,具備超低的導(dǎo)通電阻,優(yōu)異的開關(guān)特性,結(jié)合先進車規(guī)級封裝所帶來的高可靠性,為汽車電子設(shè)計工程師提供了豐富的選擇。廣泛應(yīng)用于車身域控,動力電池管理,DC/DC,動力總成,輔助駕駛,車載照明等系統(tǒng)中。
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